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SiS456DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.016
0.014
0.012
0.010
I D = 20 A
10
1
0.008
0.006
0.004
0.002
0.000
T J = 125 °C
T J = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
2.0
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
50
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
1.8
40
I D = 250 μA
1.6
30
1.4
20
1.2
1.0
0.8
10
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
600
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
Limited by R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power (Junction-to-Ambient)
100 μs
10
1 ms
10 ms
1
100 ms
1s
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single Pulse
BVDSS Limited
10 s
DC
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 64739
S10-1285-Rev. A, 31-May-10
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